场效应晶体管(FET)是利用电场效应控制电流的单极半导体器件。它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点。它被应用于大规模和超大规模集成电路中。
场效应晶体管主要作用 场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
场效应晶体管(FET)是利用电场效应控制电流的单极半导体器件。它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点。它被应用于大规模和超大规模集成电路中。
场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。
1、.场效应管只有多子参与导电;三极管有多子和少子两种载流子参与导电,而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大,因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件(温度等)变化很大的情况下应选用场效应管。
2、(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。
3、场效应管是电压控制器件,栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流。因此,丢信号源额定电流极小的情况,应选用场效应管。场效应管是多子导电。而晶体管的两种载流子均参与到点。
4、(2)场效应管是电压控制器件,输入电阻很大;而双极型晶体管由于存在输入电流,故输入电阻较小。通常把双极型晶体管视为电流控制器件。(3)正常工作时,耗尽型MOSFET的栅压可正可负,灵活性较大。
5、两种管子的几点区别总结如下。场效应管和三极管输入电阻的差异。场效应管是单极,三极管是双极。
场效应管按结构可分为结型、绝缘栅型两大类。场效应管是场效应晶体管的简称,是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。
从场效应管的结构来划分,它有结型场效应管和绝缘栅型场效应管之分。 结型场效应管结构:N沟道结型场效应管的结构如下图所示,它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结,形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。
场效应晶体管,简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管和金属 - 氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。
场效应管从结构上分成(结型)和(绝缘栅型) 两种类型,它的导电过程仅仅取决于(多数)载流子的流动;因而它又称做单极型器件。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。
场效应晶体管根据绝缘沟道和栅的不同 *** 而区分。FET的类型有:DEPFET(Depleted FET)是一种在完全耗尽基底上制造,同时用为一个感应器、放大器和记忆极的FET。它可以用作图像(光子)感应器。